Disco SSD M.2 2280 Samsung 980 1TB MLC V-NAND NVMe
Disco SSD M.2 2280 Samsung 980 1TB MLC V-NAND NVMe
Entrega gratuita em mais de 90 lojas!
- Capacidade de Armazenamento de 1TB
- Tecnologia MLC V-NAND para Maior Durabilidade
- Interface NVMe com Formato M.2 2280 para Alto Desempenho
- Velocidades de Leitura de até 3500MB/s
- Suporte a Criptografia AES de 256 bits


ATUALIZE-SE PARA A VELOCIDADE NVME DE TIRAR O FÔLEGO
Está na hora de maximizar o potencial do seu PC com o Samsung 980. Se você precisa de um impulso para jogos ou um fluxo de trabalho perfeito para gráficos pesados, o 980 é a escolha inteligente para desempenho de SSD excelente, tudo apoiado por uma interface NVMe e tecnologia PCIe 3.0.
EMBALADO COM VELOCIDADE
Vá direto ao assunto. O 980 aproveita quase todas as vantagens de velocidade do PCIe 3.0 através da tecnologia HMB e da eficiência dramática do NVMe. O design sem DRAM oferece valor excepcional, alcançando velocidades de leitura / gravação sequenciais alucinantes.
CONTINUE A MOVER-SE COM O MODO FULL POWER
Mantenha o seu SSD a funcionar no nível de pico para um alto desempenho consistente e ininterrupto com o modo Full Power. Ligue-o através do software Samsung Magician para sempre manter o seu SSD no modo ativo.
CONTROLO TÉRMICO FIÁVEL
SSDs de alto desempenho geralmente requerem controlo térmico de alto desempenho. Para garantir um desempenho estável, o 980 usa revestimento de níquel para ajudar a gerir o nível de calor do controlador e um rótulo dissipador de calor para fornecer controlo térmico efetivo do chip NAND.
SOLUÇÃO TÉRMICA INTELIGENTE
Incorporado ao algoritmo de controlo térmico de última geração da Samsung, o 980 gere o calor por conta própria para oferecer desempenho durável e fiável. Para minimizar as flutuações de desempenho no longo prazo, a tecnologia Dynamic Thermal Guard da Samsung mantém a temperatura do 980 em níveis ideais.
Especificações:
Capacidade: 1 TB
Formato: M.2 2280
Interface: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4
Cache: HMB(Host Memory Buffer)
Controladora: Samsung Pablo Controller
NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC
Velocidade Sequencial Leitura: Até 3,500 MB/s
Velocidade Sequencial Escrita: Até 3,000 MB/s
Leitura Aleatória 4kb (QD32): Até 500,000 IOPS
Escrita Aleatória 4kb (QD32): Até 480,000 IOPS
TBW: 600 TBW
| Fator de forma SSD | M.2 |
| Capacidade da drive SSD | 1000 GB |
| Interface | PCI Express 3.0 |
| Tipo de memória | V-NAND |
| NVMe | Sim |
| Componente para | PC/notebook |
| Encriptação de hardware | Sim |
| Velocidade de leitura | 3500 MB/s |
| Velocidade de escrita | 3000 MB/s |
| Leitura aleatória (4KB) | 500000 IOPS |
| Escrita aleatória (4KB) | 480000 IOPS |
| Compatível com S.M.A.R.T. | Sim |
| MTBF | 1500000 h |
| Temperatura de funcionamento (T-T) | 0 - 70 °C |
| Largura | 80,2 mm |
| Profundidade | 22,1 mm |
| Altura | 2,38 mm |
| Peso | 8 g |
| Versão NVMe | 1.4 |
| Codificação / segurança | 256-bit AES |
| Faixas de dados de interface PCI Express | x4 |
| Voltagem operativa | 3,3 V |
| Consumo de energia (máx) | 5,3 W |
| Vibração operacional | 1500 G |
| Consumo de energia (média) | 4,6 W |
| Código de Sistema Harmonizado (HS) | 84717070 |